硅碳复合材料技术工艺流程
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硅碳复合材料技术工艺流程

碳化硅 钢研 中科 工艺技术 SiC
更新时间:2020-07-17
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导读: 据中科钢研方面向澎湃新闻介绍,此次签约的先进晶体产业化项目,系中科钢研与国宏华业在引进日本升华法(PVT),高温化学气相沉积法(HTCVD)及俄罗斯电阻加热升华法等国际一流碳化硅长晶工艺技术与装备的基础上,通过三年来的技术消化吸收再创新,通过工艺建模、数值模拟、设备集成、工艺试验等方面的系统性工作,在碳化硅长晶专用装备、碳化硅高纯度原料合成、碳化硅单晶生长及衬底片加工工艺方面取得了较大进展

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

石墨的加入量对素坯密度有很大的影响,为使硅化后的碳化硅制品的最终密度能接近理论值,所以在模压成型时要求能达到预期所需的素坯密度,根据素坯密度值,反过来可用下式来计算石墨所需的加入量: 成型坯体先在40℃慢慢干燥后再在1005干燥,然后进行硅化反应烧结。

自结合碳化硅,就是将α-SiC与碳粉混合后,用各种成型方法成型,然后将坯体置于硅蒸气中加热,使坯体中的碳粉硅化变成β-SiC,而将α-SiC的颗粒紧密结合成致密制品。

例如,在1350℃的温度下,用70~90MPa的压力进行热压,如果原料是高温型的α-SiC,则密度不超过理论值的96%;如果使用低温型的β-SiC,则热压密度可以达到3.20g/cm3,接近于理论值,并在烧结过程中转变为高温型的α-SiC。

为了获得纯碳化硅的致密陶瓷制品,以便最大限度地利用碳化硅本身的特性,所以发展了自结合反应烧结法和热压法制造工艺。

中科钢研碳化硅项目总部基地落户上海,赋能第三代半导体材料

中科钢研碳化硅项目总部基地落户上海,赋能第三代半导体材料

中科钢研方面表示,力争用3到5年时间,将中科钢研与其战略合作伙伴联合创设的国宏中宇科技发展有限公司(下称“国宏中宇”)建设成以上海总部基地为核心,拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地,产品销售与服务中心的,国内科研水平最高、产业规模最大、上下游产业链较为完整、产业示范引领作用最大的,以碳化硅半导体材料为代表,聚集第三代半导体材料及其应用技术与产品的高新技术企业集团。

据中科钢研方面向澎湃新闻介绍,此次签约的先进晶体产业化项目,系中科钢研与国宏华业在引进日本升华法(PVT),高温化学气相沉积法(HTCVD)及俄罗斯电阻加热升华法等国际一流碳化硅长晶工艺技术与装备的基础上,通过三年来的技术消化吸收再创新,通过工艺建模、数值模拟、设备集成、工艺试验等方面的系统性工作,在碳化硅长晶专用装备、碳化硅高纯度原料合成、碳化硅单晶生长及衬底片加工工艺方面取得了较大进展,形成了具有自主知识产权的以碳化硅单晶生长核心工艺技术为代表的完整工艺技术体系。

中科钢研先后开发了高品质、大规格蓝宝石晶体制备工艺技术及长晶装备;高品质碳化硅晶体及衬底片制备工艺技术及长晶装备;废轮胎再生循环利用工艺技术及生产线;新型金刚石符合材料及成套生产装置;石墨烯碳纳米电热膜生产工艺技术及生产线等多项达到国际一流技术水平。

中科钢研是由国务院国资委于2016年批复成立的新型央企控股混合所有制企业,其中,中国钢研科技集团有限公司通过其全资子公司新冶集团持股40%为公司第一大股东实现相对控股,弘睿天蓝作为公司管理与技术团队的持股平台占股25%,外部战略投资者国宏华业占股35%。

精彩抢先看!2019中国重质碳酸钙加工技术及市场交流大会

长期以来一直从事纳微米颗粒的制备、表面改性及应用等方面的技术和基础理论研究工作,目前已在重要期刊上发表学术论文80余篇,主编专著1部,参编专著3部,申请和授权专利20余项,获国家科技进步二等奖1项,北京市科技进步一等奖1项,石化协会优秀图书一等奖1项。

1985年创办河北省平乡县东风塑料厂,从事生产塑料填充改性、挤塑、吹塑等塑料制品,先后研制新产品、新技术30多项,发明专利六项,发表专业论文60余篇,荣获国家、省、部级科技奖励20余项。

为了引领碳酸钙行业走上创新、绿色、协调的可持续发展道路,实现节能减排、低碳环保的目标,促进产学研用的信息共享与协同合作,国家建筑材料工业技术情报研究所决定于2019年10月25-27日在河北邯郸举办“中国重质碳酸钙加工技术及市场交流大会”,本次大会依托“2019国际石灰及深加工技术装备展览会及国际钙产业博览会”,希望通过技术与设备成套技术的有效结合,为重质碳酸钙企业搭建集技术交流及发布、贸易洽谈及合作于一体的高效对接平台。

主持参入国家科技部乙烯基硅烷重点项目,并获得国家科学技术二等奖,主导撰写发明专利六篇,发明创新并完善固态硅烷体系理论,现兼任广东圣堡达硅,碳、铝变态研究院院长,广东畅吉庆固态废弃物研究所,东莞圣堡达投资公司,山东晨光,硅科公司技术顾问。

碳化硅的技术要求

磨料用碳化硅的粒度要求比较严格,基本粒度集中到相当程度,超过范围的最粗粒一般不允许存在,细粒也有限制。

表5为我国碳化硅磨料粒度尺寸(GB2477-83)与国外标准的对比。

化学成分要求与磨料用黑碳化硅完全相同,主要用于制造高级碳化硅耐火材料,如R-SiC、Si3N4、SiSiC质的窑具、横梁、烧咀、汽轮机部件等。

以下是碳质耐火材料对碳化硅的技术要求: 我国国家标准GB2480-1996对磨具或研磨材料用的碳化硅的化学成分、密度等提出了要求,见表1。

抢占第三代半导体风口,中科钢研加速碳化硅布局

据悉,该项目系中科钢研与国宏华业在引进日本升华法(PVT),高温化学气相沉积法(HTCVD)及俄罗斯电阻加热升华法等国际一流碳化硅长晶工艺技术与装备的基础上,通过三年来的技术消化吸收再创新,通过工艺建模、数值模拟、设备集成、工艺试验等方面的系统性工作,在碳化硅长晶专用装备、碳化硅高纯度原料合成、碳化硅单晶生长及衬底片加工工艺方面取得了较大进展,形成了具有自主知识产权的以碳化硅单晶生长核心工艺技术为代表的完整工艺技术体系。

当时中科钢研方面表示,力争用3到5年时间,将中科钢研与其战略合作伙伴联合创设的国宏中宇科技发展有限公司建设成以上海总部基地为核心,拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地,产品销售与服务中心的,国内科研水平最高、产业规模最大、上下游产业链较为完整、产业示范引领作用最大的,以碳化硅半导体材料为代表,聚集第三代半导体材料及其应用技术与产品的高新技术企业集团。

2019年2月23日,位于南通的中科钢研产业项目开工,该项目建成达产后,可年产石墨烯碳纳米电热膜1200万延米、4英寸N型碳化硅晶体衬底片5万片、6英寸N型碳化硅晶体衬底片5万片、4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片1万片、4/6英寸碳化硅电力电子芯片6万片。

技术方面,在2019年5月10日,中科钢研官方也表示,其具有自主知识产权的六英寸碳化硅单晶生长装备顺利投入使用,进入六英寸碳化硅单晶生长工艺验证阶段。

总结

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